Home >

news ヘルプ

特許情報


発明の名称
酸化亜鉛半導体材料および製造方法 
発明者
脇慶子(旧：温慶茹), 富田　貴洋, 陶　潤邦.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2011/03/25
出願番号
特願2011-068147
公開日
2012/10/22
公開番号
特開2012-201556

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.