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特許情報


発明の名称
磁気抵抗素子 
発明者
中川茂樹, 高橋　茂樹, 園部　義明.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京工業大学, 株式会社サムスン横浜研究所.  
出願日
2012/12/20
出願番号
特願2012-278543
公開日
2014/07/03
公開番号
特開2014-123629

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