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特許情報


発明の名称
５層磁気トンネル接合素子及び磁気メモリ装置 
発明者
中川茂樹, 史蹟, 高村陽太.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学.  
出願日
2014/09/17
出願番号
特願2014-188742
公開日
2016/04/25
公開番号
特開2016-063024
登録日
2018/11/22
登録番号
特許第6436476号

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