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特許情報


発明の名称
酸化物半導体化合物の層、酸化物半導体化合物の層を備える半導体素子、および積層体 
発明者
細野秀雄, 神谷利夫, 雲見日出也, 金正煥, 中村　伸宏, 渡邉　暁, 宮川　直通.  
種別
特許 
状態
登録 
出願人
国立大学法人東京工業大学, AGC株式会社.  
出願日
2017/02/23
出願番号
特願2018-503092
公開日
2019/01/10
公開番号
再表2017/150351
登録日
2022/08/26
登録番号
特許第7130209号

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