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特許情報


発明の名称
磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法 
発明者
東正樹, 重松圭, 伊藤拓真.  
種別
特許 
状態
公開 
出願人
国立大学法人東京科学大学, 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所（KISTEC）, 住友化学株式会社.  
出願日
2023/03/07
出願番号
特願2023-034780
公開日
2024/09/20
公開番号
特開2024-126415

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