InP hot electron transistors with reduced emitter width for controllability of collector current by gate bias

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InP hot electron transistors with reduced emitter width for controllability of collector current by gate bias

著者

和文:	R. Nakagawa, K. Takeuchi, Y. Yamada, Y. Miyamoto, K. Furuya.
英文:	R. Nakagawa, K. Takeuchi, Y. Yamada, Y. Miyamoto, K. Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	International Conference on Indium Phosphide and Related Materials

巻, 号, ページ

pp. P1-14

出版年月

2004年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
英文: