25 nm Wide Emitter and Precise Alignment between Gate and Emitter in InP Hot Electron Transistors

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	25 nm Wide Emitter and Precise Alignment between Gate and Emitter in InP Hot Electron Transistors

著者

和文:	宮本恭幸, R. Nakagawa, I. Kashima, K. Takeuchi, Y. Yamada, T. Fujisaki, M. Ishida, 古屋一仁.
英文:	Y. Miyamoto, R. Nakagawa, I. Kashima, K. Takeuchi, Y. Yamada, T. Fujisaki, M. Ishida, KAZUHITO FURUYA.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics
英文:

巻, 号, ページ

pp. TuC-3

出版年月

2005年8月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 6th Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM 2005)

開催地

和文:
英文:	Awaji-island