Barrier thickness dependence of peak current density in GaInAs/AlAs/InP resonant tunneling diodes by MOVPE

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Barrier thickness dependence of peak current density in GaInAs/AlAs/InP resonant tunneling diodes by MOVPE

著者

和文:	Y. Miyamoto, H. Tobita, K. Oshima, K. Furuya.
英文:	Y. Miyamoto, H. Tobita, K. Oshima, K. Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Solid-State Electronics

巻, 号, ページ

Vol. 43 pp. 1395-1398

出版年月

1999年

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: