Submicron GaInAs/InP hot electron transistors by EBL process and size dependence of current gain

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Submicron GaInAs/InP hot electron transistors by EBL process and size dependence of current gain

著者

和文:	Y. Miyamoto, J. Yoshinaga, H. Toda, T. Arai, H. Hongo, T. Hattori, A. Kokubo, K. Furuya.
英文:	Y. Miyamoto, J. Yoshinaga, H. Toda, T. Arai, H. Hongo, T. Hattori, A. Kokubo, K. Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Solid State Electronics

巻, 号, ページ

Vol. 42 No. 7-8 pp. 1467-1470

出版年月

1998年

出版者

和文:
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会議名称

和文:
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開催地

和文:
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