High electric field photocurrent of Vidicon and diode devices using wide band gap a-Si:H prepared with intentional control of silicon network by chemical annealing

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High electric field photocurrent of Vidicon and diode devices using wide band gap a-Si:H prepared with intentional control of silicon network by chemical annealing

著者

和文:	W. Futako, T. Sugawara, T. Kamiya, I. Shimizu.
英文:	W. Futako, T. Sugawara, T. Kamiya, I. Shimizu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	J. Organometallic Chemistry

巻, 号, ページ

Vol. 611 pp. 525

出版年月

2000年

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

和文:
英文: