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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:In-plane structure of arsenic deposited in the Si (III) surface studied with the grazing-angle X-ray standing-wave method 
著者
和文: 坂田修身　.  
英文: OSAMI SAKATA.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Phys. Rev. B 
巻, 号, ページ Vol. 48        pp. 11408-11411
出版年月 1993年 
出版者
和文: 
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会議名称
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開催地
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