Charged defects reduction in gate insulator with multivalent materials

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Charged defects reduction in gate insulator with multivalent materials

著者

和文:	幸田みゆき, 角嶋邦之, 梅澤直人, パールハットアヘメト, 白石賢二, 知京豊裕, 山田啓作, 岩井洋.
英文:	Miyuki Kouda, Kuniyuki KAKUSHIMA, Naoto Umezawa, Ahmet Parhat, Kenji Shiraishi, Toyohiro Chikyow, Keisaku Yamada, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	2009 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers

巻, 号, ページ

pp. 200-201

出版年月

2009年6月

出版者

和文:
英文:	VLSI Technology

会議名称

和文:
英文:	2009 Symposium on VLSI Technology

開催地

和文:
英文:	Kyoto, Japan