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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Electrical characteristics of MOSFETs with La2O3/Y2O3 gate stack 
著者
和文: パールハットアヘメト, 中川健太郎, 角嶋邦之, 野平博司, 筒井一生, 杉井信之, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: Ahmet Parhat, 中川健太郎, Kuniyuki KAKUSHIMA, Hiroshi Nohira, KAZUO TSUTSUI, Nobuyuki Sugii, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Microelectronics Reliability 
巻, 号, ページ Vol. 48        pp. 1769–1771
出版年月 2008年 
出版者
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会議名称
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開催地
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