Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectively Regrown N<sup>+</sup>-InGaAs Source Region

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication of InP/InGaAs Undoped Channel MOSFET with Selectively Regrown N⁺-InGaAs Source Region

著者

和文:	金澤徹, 齋藤尚史, 若林和也, 寺尾良輔, 田島智宣, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	Toru Kanazawa, Hisashi Saito, Kazuya Wakabayashi, Ryousuke Terao, Tomonori Tajima, YASUYUKI MIYAMOTO, KAZUHITO FURUYA.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

pp. 246-247

出版年月

2009年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2009 International Conference on Solid State Devices and Materials

開催地

和文:	宮城県仙台市
英文:	Sendai, Miyagi