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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Vacancy-Type Defects in Ultra-Shallow Junctions Fabricated Using Plasma Doping Studied by Positron Annihilation 
著者
和文: Akira Uedono, 筒井一生, Shoji Ishibashi, Hiromichi Watanabe, Shoji Kubota, Kazuki Tenjinbayashi, 中川恭成, 水野文二, 服部健雄, 岩井洋.  
英文: Akira Uedono, KAZUO TSUTSUI, Shoji Ishibashi, Hiromichi Watanabe, Shoji Kubota, Kazuki Tenjinbayashi, Yasumasa Nakagawa, Bunji Mizuno, takeo hattori, HIROSHI IWAI.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2010年5月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:IEEE IWJT 2010 Extended Abstracts 2010 International Workshop on Junction Technology 
開催地
和文: 
英文:Shanghai, China 

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