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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Scaling consideration on local hotspot for Si MOSFETs - For device length scale typically larger than 100 nm 
著者
和文: 伏信 一慶, 山本 泰史, 畠山 友行.  
英文: K. Fushinobu, Y. Yamamoto, T. Hatakeyama.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Proc. ITherm 2010 
巻, 号, ページ     No. 008   
出版年月 2010年6月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:ITherm 2010 
開催地
和文: 
英文:Las Vegas, NV, USA 
DOI https://doi.org/10.1109/ITHERM.2010.5501351

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