InP/In0.53Ga0.47As composite channel n-MOSFETwith heavily dopedregrown source/drain structure

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	InP/In0.53Ga0.47As composite channel n-MOSFETwith heavily dopedregrown source/drain structure

著者

和文:	若林和也, 金澤徹, 齋藤尚史, 寺尾良輔, 池田俊介, 宮本恭幸, 古屋一仁.
英文:	K. Wakabayashi, T. Kanazawa, H. Saito, R. Terao, S. Ikeda, Y. Miyamoto, K. Furuya.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2009年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Int. Symposium on Silicon Nano Devices in 2030

開催地

和文:
英文:	Tokyo