Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文:Al2O3ゲート絶縁膜および再成長ソースを有するサブミクロンInP/InGaAs n-MOSFET 
英文:Submicron InP/InGaAs channel n-MOSFET with regrown InGaAs and Al2O3 gate dielectric 
著者
和文: 寺尾良輔, 金澤徹, 池田俊介, 米内義晴, 加藤淳, 宮本恭幸.  
英文: Ryousuke Terao, Toru Kanazawa, Shunsuke Ikeda, Yosiharu Yonai, atsushi kato, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2010年9月 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:第71回応用物理学会学術講演会 
英文: 
開催地
和文:長崎 
英文: 

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.