Study on Device Parameters of Carbon Nanotube FETs to RealizeSteep Subthreshold Slope of less than 60 mV/decade

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Study on Device Parameters of Carbon Nanotube FETs to RealizeSteep Subthreshold Slope of less than 60 mV/decade

著者

和文:	BERRIN PINAR ALGUL, 小寺哲夫, 小田俊理, 内田建.
英文:	Berrin Pinar Algul, Tetsuo Kodera, Shunri Oda, Ken Uchida.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2010年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2010 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2010)

開催地

和文:
英文:	Tokyo