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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Electro-thermal scaling analysis of Si MOSFETs with device length typically larger than 100 nm 
著者
和文: 伏信 一慶, 畠山 友行.  
英文: K. Fushinobu, T. Hatakeyama.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Proc. ICEP2011 
巻, 号, ページ        
出版年月 2011年4月13日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:ICEP2011 
開催地
和文: 
英文:Nara 

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