Home >

news ヘルプ

論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Scaling consideration on local hotspot for Si MOSFETs - For device length scale typically larger than 100 nm 
著者
和文: 伏信 一慶, 畠山 友行.  
英文: K. Fushinobu, T. Hatakeyama.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文:Proc. SEMI-THERM 27 
巻, 号, ページ         pp. 175-180
出版年月 2011年3月23日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:SEMI-THERM 27 
開催地
和文: 
英文:San Jose, CA 
DOI https://doi.org/10.1109/ITHERM.2010.5501351

©2007 Institute of Science Tokyo All rights reserved.