Mechanisms of electron mobility enhancement in junctionless SOI MOSFETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Mechanisms of electron mobility enhancement in junctionless SOI MOSFETs

著者

和文:	大橋輝之, Naotoshi Kadotani, 高橋綱己, 小田俊理, 内田建.
英文:	Teruyuki Ohashi, Naotoshi Kadotani, Tsunaki Takahashi, Shunri Oda, Ken Uchida.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

P-15

出版年月

2011年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	G-COE PICE International Symposium and IEEE EDS Minicolloquium on Advanced Hybrid Nano Devices: Prospects by World’s Leading Scientists

開催地

和文:
英文:	Tokyo