Fundamental Oscillation up to 1.08 THz in Resonant Tunneling Diodes with High-Indium Composition Transit Layers for Reduction of Transit Delay

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fundamental Oscillation up to 1.08 THz in Resonant Tunneling Diodes with High-Indium Composition Transit Layers for Reduction of Transit Delay

著者

和文:	寺西豊志, 静野薫, 鈴木左文, 浅田雅洋, H. Sugiyama, H. Yokoyama.
英文:	A. Teranishi, K. Shizuno, S. Suzuki, M. Asada, H. Sugiyama, H. Yokoyama.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	IEICE Electron. Express

巻, 号, ページ

vol. 9 no. 5 pp. 385-390

出版年月

2012年3月10日

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI