High Uniformity InP-Based Resonant Tunneling Diode Wafers with Peak Current Density of over 6×10<sup>5</sup> A/cm<sup>2</sup> Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	High Uniformity InP-Based Resonant Tunneling Diode Wafers with Peak Current Density of over 6×10⁵ A/cm² Grown by Metal-Organic Vapor-Phase Epitaxy

著者

和文:	H. Sugiyama, 寺西豊志, 鈴木左文, 浅田雅洋.
英文:	H. Sugiyama, A. Teranishi, S. Suzuki, M. Asada.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	J. Crystal Growth

巻, 号, ページ

vol. 336 pp. 24-28

出版年月

2011年9月10日

出版者

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会議名称

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開催地

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英文: