Electro-thermal scaling analysis of Si MOSFETs with device length typically larger than 100 nm

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electro-thermal scaling analysis of Si MOSFETs with device length typically larger than 100 nm

著者

和文:	伏信一慶, 畠山友行.
英文:	K. Fushinobu, T. Hatakeyama.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Transactions of The Japan Institute of Electronics Packaging

巻, 号, ページ

Vol. 4 No. 1 pp. 31-35

出版年月

2012年3月7日

出版者

和文:
英文:

会議名称

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開催地

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