[ 183]	D. Kitayama, T. Kubota, T. Koyonagi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Silicate Reaction Control at Lanthanum Oxide and Silicon Interface for Equivalent Oxide Thickness of 0.5nm* Adjustment of Amount of Residual Oxygen Atoms in Metal Layer”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.10, pp.10PA05-1-5, October, 2011

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	[ 183] D. Kitayama, T. Kubota, T. Koyonagi, K. Kakushima, P. Ahmet, K. Tsutsui, A. Nishiyama, N. Sugii, K. Natori, T. Hattori, H. Iwai, “Silicate Reaction Control at Lanthanum Oxide and Silicon Interface for Equivalent Oxide Thickness of 0.5nm* Adjustment of Amount of Residual Oxygen Atoms in Metal Layer”, Japanese Journal of Applied Physics, Vol.50, No.10, pp.10PA05-1-5, October, 2011

著者

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 50 No. 10 pp. 10PA05-1-5

出版年月

2011年10月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文: