Advantages of Silicon Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors over Planar Ones in Noise Properties

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Advantages of Silicon Nanowire Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors over Planar Ones in Noise Properties

著者

和文:	W. Feng, R. Hettiarachchi, 佐藤創志, 角嶋邦之, M. Niwa, 岩井洋, 山田啓作, 大毛利健二.
英文:	W. Feng, R. Hettiarachchi, Soshi Sato, Kuniyuki KAKUSHIMA, M. Niwa, HIROSHI IWAI, Keisaku Yamada, Kenji Ohmori.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 51 pp. 04DC06-1-04DC06-5

出版年月

2012年4月

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
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DOI