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論文・著書情報


タイトル
和文:Capping gate構造を有するSi/SiGe量子ドットの作製と評価 
英文: 
著者
和文: 福岡佑二, 小寺哲夫, 武田健太, 小幡利顕, 吉田勝治, 澤野憲太郎, 内田建, 白木靖寛, 樽茶清悟, 小田俊理.  
英文: Yuji Fukuoka, Tetsuo Kodera, 武田健太, 小幡利顕, 吉田勝治, 澤野憲太郎, Ken Uchida, 白木靖寛, 樽茶清悟, SHUNRI ODA.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2012年3月 
出版者
和文: 
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会議名称
和文:2012年春季第59回応用物理学関係連合学術講演会 
英文: 
開催地
和文:東京 
英文: 

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