Electron mobility enhancement in nanoscale silicon-on-insulator diffusion layers with high doping concentration of greater than 1E18 cm-3 and silicon-on-insulator thickness of less than 10 nm

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Electron mobility enhancement in nanoscale silicon-on-insulator diffusion layers with high doping concentration of greater than 1E18 cm-3 and silicon-on-insulator thickness of less than 10 nm

著者

和文:	角谷直哉, 高橋綱己, 大橋輝之, 小田俊理, 内田建.
英文:	N. Kadotani, T. Takahashi, T. Ohashi, S. Oda, K. Uchida.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 110 pp. 034502. (7 pages)

出版年月

2011年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

和文:
英文: