Effect of Silicate Formation at Metal Gate/High-k Interface on Electrical Characteristics of La2O3 gated MOS Devices

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Effect of Silicate Formation at Metal Gate/High-k Interface on Electrical Characteristics of La2O3 gated MOS Devices

著者

和文:	耒山大祐, 角嶋邦之, パールハットアヘメト, 西山彰, 杉井信之, 筒井一生, 名取研二, 服部健雄, 岩井洋.
英文:	Daisuke Kitayama, Kuniyuki KAKUSHIMA, パールハットアヘメト, Akira Nishiyama, Nobuyuki Sugii, KAZUO TSUTSUI, Kenji Natori, takeo hattori, HIROSHI IWAI.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2012年

出版者

和文:
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会議名称

和文:
英文:	IEEE EDS MQ WIMNACT 32 C0-sponsored by EDS Japan Chapter and TIT

開催地

和文:
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