120 nm Channel Length Ferroelectric-Gate Thin Film Transistor by Nanoimprint Lithography

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	120 nm Channel Length Ferroelectric-Gate Thin Film Transistor by Nanoimprint Lithography

著者

和文:	Koji Nagahara, Bui Nguyen Quoc Trinh, 徳光永輔, Satoshi Inoue, 下田達也.
英文:	Koji Nagahara, Bui Nguyen Quoc Trinh, Eisuke Tokumitsu, Satoshi Inoue, Tatsuya Shimoda.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年6月19日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	The 4th International Symposium on Organic and Inorganic Electronic Materials and Related Nanotechnologies (EM-NANO 2013)

開催地

和文:
英文:	Kanazawa