Mechanism Study of Gate Leakage Current for AlGaN/GaN HEMT Structure Under High Reverse Bias by TSB Model and TCAD Simulation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Mechanism Study of Gate Leakage Current for AlGaN/GaN HEMT Structure Under High Reverse Bias by TSB Model and TCAD Simulation

著者

和文:	K. Hayashi, 山口裕太郎, T. Oishi, H. Ostuka, K. Yamanaka, M. Nakayama, 宮本恭幸.
英文:	K. Hayashi, Y. Yamaguchi, T. Oishi, H. Ostuka, K. Yamanaka, M. Nakayama, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:	JPN. J. APPL. PHYS.

巻, 号, ページ

vol. 54 no. 4 issue 2

出版年月

2013年

出版者

和文:
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会議名称

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開催地

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