Analysis on trade-off between electric field and gate-drain capacitance for GaN HEMT by T-CAD simulation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Analysis on trade-off between electric field and gate-drain capacitance for GaN HEMT by T-CAD simulation

著者

和文:	山口裕太郎, K. Hayashi, T. Oishi, H. Otsuka, K. Yamanaka, M. Nakayama, 宮本恭幸.
英文:	Y. Yamaguchi, K. Hayashi, T. Oishi, H. Otsuka, K. Yamanaka, M. Nakayama, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2012年9月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2012 International Conference on. Solid State Devices and Materials (SSDM 2012)

開催地

和文:	京都府京都市
英文:	Kyoto