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論文・著書情報


タイトル
和文:n-InP ソースを持つT ゲート構造 InGaAs-MOSFET の高周波特性 
英文: 
著者
和文: 佐賀井 健, 上原 英治, 大澤 一斗, 宮本 恭幸.  
英文: Takeru Sagai, Eiji Uehara, Kazuto Ohsawa, YASUYUKI MIYAMOTO.  
言語 Japanese 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2013年3月21日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文:2013年電子情報通信学会総合大会 
英文: 
開催地
和文:岐阜市 
英文: 

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