Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Investigation of Stacking Faults Affecting on Reverse Leakage Current of 4H-SiC Junction Barrier Schottky Diodes Using Device Simulation

著者

和文:	長谷川淳一, K.Konishi, Y.Nakamura, K.Otsuka, 中峯嘉文, 西村正, 波多野睦子.
英文:	J. Hasegawa, K.Konishi, Y.Nakamura, K.Otsuka, Y.Nakamine, T.Nishimura, M.Hatano.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2013年10月2日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	ICSCRM2013

開催地

和文:
英文:	Miyazaki