ナノ領域エピタキシー法によるCoSi<sub>2</sub>/CaF<sub>2</sub>三重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性

論文・著書情報

タイトル

和文:	ナノ領域エピタキシー法によるCoSi₂/CaF₂三重障壁共鳴トンネルダイオードの室温微分負性抵抗特性
英文:	Room temperature negative differential resistance of CoSi₂/CaF₂ triple-barrier resonant tunneling diode grown by Nano-area Local Epitaxy

著者

和文:	田村信平, 渡辺正裕, 浅田雅洋.
英文:	S. Tamura, M. Watanabe, M. Asada.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

30a-ZE-8 3 1548

出版年月

2004年3月30日

出版者

和文:
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会議名称

和文:	第51回応用物理学会関係連合講演会
英文:	The 51st Spring Meeting of The Jpn. Soc. of Appl. Phys. And Related Societies

開催地

和文:	東京都
英文:	Tokyo