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論文・著書情報


タイトル
和文: 
英文:Material Design and Development of New Amorphous Oxide Semiconductors for Future Electronics 
著者
和文: 金 正煥, 神谷 利夫, 細野 秀雄.  
英文: Junghwan Kim, Toshio Kamiya, Hideo Hosono.  
言語 English 
掲載誌/書名
和文: 
英文: 
巻, 号, ページ        
出版年月 2017年9月29日 
出版者
和文: 
英文: 
会議名称
和文: 
英文:ICMass/iLIM 2017 
開催地
和文: 
英文:Nagoya 

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