SiC-MOSFETデバイスモデルの開発と高精度回路解析への適用に関する研究 | T2R2 東京科学大学リサーチリポジトリ

論文・著書情報

タイトル

和文:	SiC-MOSFETデバイスモデルの開発と高精度回路解析への適用に関する研究
英文:

著者

和文:	椋木康滋.
英文:	Yasushige Mukunoki.

種別

種別:	学位論文(博士)
国名:	日本

言語

Japanese

学位授与組織

東京工業大学

報告番号

甲第10925号

学位授与日

2018/06/30

審査員

萩原誠, 安岡康一, 七原俊也, 千葉明, 藤田英明, 葛本昌樹.

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