Experimental verification of a 3D scaling principle for low V&lt;inf&gt;ce(sat)&lt;/inf&gt;IGBT

論文・著書情報

タイトル

和文:	Experimental verification of a 3D scaling principle for low V<inf>ce(sat)</inf>IGBT
英文:	Experimental verification of a 3D scaling principle for low V<inf>ce(sat)</inf>IGBT

著者

和文:	Kakushima, K., Hoshii, T., Tsutsui, K., Nakajima, A., Nishizawa, S., Wakabayashi, H., Muneta, I., Sato, K., Matsudai, T., Saito, W., Saraya, T., Itou, K., Fukui, M., Suzuki, S., Kobayashi, M., Takakura, T., Hiramoto, T., Ogura, A., Numasawa, Y., Omura, I., Ohashi, H., Iwai, H., 星井拓也.
英文:	Kakushima, K., Hoshii, T., Tsutsui, K., Nakajima, A., Nishizawa, S., Wakabayashi, H., Muneta, I., Sato, K., Matsudai, T., Saito, W., Saraya, T., Itou, K., Fukui, M., Suzuki, S., Kobayashi, M., Takakura, T., Hiramoto, T., Ogura, A., Numasawa, Y., Omura, I., Ohashi, H., Iwai, H., Takuya Hoshii.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM
英文:	Technical Digest - International Electron Devices Meeting, IEDM

巻, 号, ページ

pp. 10.6.1-10.6.4

出版年月

2017年

出版者

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会議名称

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開催地

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