Admittance spectroscopy analysis on the interfacial defect levels in the surface-activated bonding of GaAs

論文・著書情報

タイトル

和文:	Admittance spectroscopy analysis on the interfacial defect levels in the surface-activated bonding of GaAs
英文:	Admittance spectroscopy analysis on the interfacial defect levels in the surface-activated bonding of GaAs

著者

和文:	Yamashita, D., Watanabe, K., Fujino, M., Hoshii, T., Okada, Y., Nakano, Y., Suga, T., Sugiyama, M., 星井拓也.
英文:	Yamashita, D., Watanabe, K., Fujino, M., Hoshii, T., Okada, Y., Nakano, Y., Suga, T., Sugiyama, M., Takuya Hoshii.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference
英文:	Conference Record of the IEEE Photovoltaic Specialists Conference

巻, 号, ページ

Vol. 2016-November pp. 2317-2319

出版年月

2016年

出版者

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会議名称

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開催地

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