Virtually Nonvolatile Retention SRAM cell Using Dual-Mode Inverters

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Virtually Nonvolatile Retention SRAM cell Using Dual-Mode Inverters

著者

和文:	北形大樹, 吉田隼, 山本修一郎, 菅原聡.
英文:	Kitagata, H. Yoshida, S. Yamamoto, S. Sugahara.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2018年10月15日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2018 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S Conference 2018)

開催地

和文:
英文:	San Francisco