分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討 (シリコン材料・デバイス)

論文・著書情報

タイトル

和文:	分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討 (シリコン材料・デバイス)
英文:

著者

和文:	高山留美, 星井拓也, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生.
英文:	高山留美, Takuya Hoshii, 中島昭, 西澤伸一, 大橋弘通, 角嶋邦之, 若林整, 筒井一生.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
英文:

巻, 号, ページ

Vol. 117 No. 101 pp. 31-34

出版年月

2017年5月

出版者

和文:	電子情報通信学会
英文:

会議名称

和文:
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開催地

和文:
英文: