Fabrication and characterization of physically-defined Si-MOS quantum dots for integration of qubits

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Fabrication and characterization of physically-defined Si-MOS quantum dots for integration of qubits

著者

和文:	西山伸平, K. Kato, Y. Liu, T. Mori, 溝口来成, 小寺哲夫.
英文:	S. Nishiyama, K. Kato, Y. Liu, T. Mori, R. Mizokuchi, T.Kodera.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2019年12月

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	Topical Conference on Quantum Computing 2019 (TCQC2019)

開催地

和文:
英文:	Kyoto