Circuit speedoriented device design scheme for double gate hetero tunnel FETs

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Circuit speedoriented device design scheme for double gate hetero tunnel FETs

著者

和文:	福田浩一, 野上直哉, 國貞彰吾, 宮本恭幸.
英文:	K. Fukuda, N. Nogami, S. Kunisada, Y. Miyamoto.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

PS-1-21(LN),

出版年月

2019年9月4日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	2019 International Conference on Solid State Devices and Materials(SSDM 2019)

開催地

和文:	名古屋
英文:	Nagoya