MOCVD法によるエピタキシャル成長SrBi2Ta2O9薄膜の合成とその電気特性評価

論文・著書情報

タイトル

和文:	MOCVD法によるエピタキシャル成長SrBi2Ta2O9薄膜の合成とその電気特性評価
英文:	Growth of Epitaxially Grown Bismuth Layer-structured Ferroelectric Thin Films and Their Characterization

著者

和文:	舟窪浩, 石川勝之, 渡辺隆之, 三矢昌俊, 額賀紀全.
英文:	Hiroshi Funakubo, Katsuyuki Ishikawa, Takayuki Watanabe, Masatoshi Mitsuya, Norimasa Nukaga.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:	日本結晶成長学会
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巻, 号, ページ

Vol. 27 No. 3 pp. 111-116

出版年月

2000年

出版者

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会議名称

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開催地

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