Physical Analysis of Gate-Source Voltage Dependencies of Parasitic Capacitors, and Their Impacts on Switching Behavior of a Discrete Silicon-Carbide MOSFET

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Physical Analysis of Gate-Source Voltage Dependencies of Parasitic Capacitors, and Their Impacts on Switching Behavior of a Discrete Silicon-Carbide MOSFET

著者

和文:	椋木康滋, Takeshi Horiguchi, Hiroshi Nakatake, 葛本昌樹, 萩原誠, 赤木泰文.
英文:	Yasushige Mukunoki, Takeshi Horiguchi, Hiroshi Nakatake, Masaki Kuzumoto, Makoto Hagiwara, Hirofumi Akagi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2019年5月

出版者

和文:
英文:	IEEE

会議名称

和文:
英文:	2019 10th International Conference on Power Electronics and ECCE Asia (ICPE 2019 - ECCE Asia)

開催地

和文:
英文:

DOI