6.5kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発

論文・著書情報

タイトル

和文:	6.5kV耐圧SiC-MOSFETのデバイスモデル開発
英文:

著者

和文:	滕飛, 葛本昌樹, 萩原誠, 石井佑季, 中嶋純一, 堀口剛司, 椋木康滋, 地道拓志.
英文:	Fei Teng, Masaki Kuzumoto, Makoto Hagiwara, Yuuki Ishii, Junichi Nakashima, Takeshi Horiguchi, Yasushige Mukunoki, Takushi Jimichi.

言語

Japanese

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

SPC-19-068

出版年月

2019年10月

出版者

和文:
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会議名称

和文:	電気学会研究会資料. SPC, 半導体電力変換研究会
英文:

開催地

和文:
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