Integration of BiSb topological insulator and CoFeB/MgO with perpendicular magnetic anisotropy using an oxide interfacial layer for ultralow power SOT-MRAM cache memory

論文・著書情報

タイトル

和文:
英文:	Integration of BiSb topological insulator and CoFeB/MgO with perpendicular magnetic anisotropy using an oxide interfacial layer for ultralow power SOT-MRAM cache memory

著者

和文:	HO HOANG HUY, ZHANG RUIXIAN, 白倉孝典, S. Takahashi, Y. Hirayama, PHAM NAM HAI.
英文:	Ho Hoang Huy, R. Zhang, T. Shirokura, S. Takahashi, Y. Hirayama, Pham Nam Hai.

言語

English

掲載誌/書名

和文:
英文:

巻, 号, ページ

出版年月

2023年9月19日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:	84th JSAP Autumn meeting

開催地

和文:
英文:	Kumamoto