Band alignment at β -(Al&lt;inf&gt;x&lt;/inf&gt;Ga&lt;inf&gt;1-&lt;/inf&gt;&lt;inf&gt;x&lt;/inf&gt;)&lt;inf&gt;2&lt;/inf&gt;O&lt;inf&gt;3&lt;/inf&gt;/ β -Ga&lt;inf&gt;2&lt;/inf&gt;O&lt;inf&gt;3&lt;/inf&gt; (100) interface fabricated by pulsed-laser deposition

論文・著書情報

タイトル

和文:	Band alignment at β -(Al<inf>x</inf>Ga<inf>1-</inf><inf>x</inf>)<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/ β -Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> (100) interface fabricated by pulsed-laser deposition
英文:	Band alignment at β -(Al<inf>x</inf>Ga<inf>1-</inf><inf>x</inf>)<inf>2</inf>O<inf>3</inf>/ β -Ga<inf>2</inf>O<inf>3</inf> (100) interface fabricated by pulsed-laser deposition

著者

和文:	Wakabayashi, R., Hattori, M., Yoshimatsu, K., Horiba, K., Kumigashira, H., Ohtomo, A., 吉松公平.
英文:	Wakabayashi, R., Hattori, M., Yoshimatsu, K., Horiba, K., Kumigashira, H., Ohtomo, A., Kohei Yoshimatsu.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Applied Physics Letters
英文:	Applied Physics Letters

巻, 号, ページ

Vol. 112 No. 23

出版年月

2018年

出版者

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会議名称

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開催地

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