Enhancement-mode accumulation capacitance–voltage characteristics in TiN/ALD-Al2O3/sputtered-MoS2 top-gated stacks

論文・著書情報

タイトル

和文:	Enhancement-mode accumulation capacitance–voltage characteristics in TiN/ALD-Al2O3/sputtered-MoS2 top-gated stacks
英文:	Enhancement-mode accumulation capacitance–voltage characteristics in TiN/ALD-Al2O3/sputtered-MoS2 top-gated stacks

著者

和文:	Haruki Tanigawa, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, 星井拓也, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi.
英文:	Haruki Tanigawa, Kentaro Matsuura, Iriya Muneta, Takuya Hoshii, Kuniyuki Kakushima, Kazuo Tsutsui, Hitoshi Wakabayashi.

言語

English

掲載誌/書名

和文:	Japanese Journal of Applied Physics
英文:	Japanese Journal of Applied Physics

巻, 号, ページ

Vol. 59 No. SM pp. SMMC01

出版年月

2020年7月1日

出版者

和文:
英文:

会議名称

和文:
英文:

開催地

和文:
英文:

公式リンク

DOI